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LK Technologies低能電子衍射儀真空組件
自1998年以來(lái),LK一直在全球范圍內(nèi)提供LEED低能電子衍射儀系統(tǒng)。
RVL2000低能電子衍射儀(LEED)的精密反向LEED低能電子衍射儀光學(xué)元件采用所有UHV結(jié)構(gòu),無(wú)需使用玻璃纖維或聚合物涂層線束。提供完整系列的型號(hào)和選件,包括低電流(nA,pA)MCP型號(hào)。所有光學(xué)器件均采用4網(wǎng)格結(jié)構(gòu),以實(shí)現(xiàn)與俄歇電子能譜AES連用
采用4格鎢光學(xué)元件的精密結(jié)構(gòu)
微型1.59厘米直徑電子槍
103度可用視角
0.5%的能量分辨率
提供可伸縮光學(xué)元件(標(biāo)準(zhǔn)2英寸和最大4英寸縮回)
安裝法蘭具有整體視口和電氣穿通裝置
與UHV兼容(不使用聚合物涂層或玻璃纖維絕緣線)
低噪音,高性能的俄歇電子設(shè)備,帶有集成鎖定放大器
MCP版本的pA和nA電流水平
全系列選項(xiàng)包括低調(diào)快門(mén),CCD攝像頭和軟件,6英寸和8英寸外徑法蘭型號(hào)
LK Technologies低能電子衍射儀真空組件
HREELS高分辨電子能量損失譜儀在分辨率和信號(hào)水平方面表現(xiàn)全球?,F(xiàn)在結(jié)合我們的多通道分析儀選件(EA5000MCA),可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集速度。用于研究表面分子振動(dòng),表面聲子和等離子體以及電子能級(jí)和能帶隙。
超高分辨率0.5 meV FWHM
在1.0 meV分辨率(FWHM)下保證探測(cè)器電流大于或等于10pA
采用具有可控角度像差的新型靜電偏轉(zhuǎn)器
具有菜單驅(qū)動(dòng)軟件的低噪聲數(shù)字控制電子設(shè)備
用戶(hù)可選擇的掃描范圍高達(dá)50 eV,適用于電子振動(dòng)/電子應(yīng)用
LK1000M電子槍有出色能量分辨率的電子源,針對(duì)高輸出電流進(jìn)行了優(yōu)化 應(yīng)用于逆UPS,EELS等電子碰撞實(shí)驗(yàn)。
低于10 meV的能量分辨率可通過(guò)能量調(diào)節(jié)
在20 meV能量分辨率下,典型輸出電流> 10 nA
單通道雙聚焦單色器,具有空間電荷優(yōu)化功能
5元素變焦鏡頭/轉(zhuǎn)移鏡頭,適用于長(zhǎng)工作距離
整體磁屏蔽
除了表面分析組件外,LK Technologies還專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)和構(gòu)建完整的特高壓系統(tǒng),這些系統(tǒng)通常結(jié)合了LK組件和其他制造商的多種表面分析方法。
這些系統(tǒng)的常見(jiàn)元件是精密UHV室,主泵(通常是離子泵),輔助泵(通常是渦輪分子),精密樣品操縱器,安裝框架和真空計(jì)量??蛻?hù)通常要求的可選組件是快速樣品引入系統(tǒng)(加載鎖定)和烘烤控制。
請(qǐng)聯(lián)系LK獲取更多信息,并討論您的自定義系統(tǒng)要求。多探針?lè)治鱿到y(tǒng)是全球?qū)嶒?yàn)室提供的一個(gè)例子:
多探針?lè)治鱿到y(tǒng),包括XPS分析,X射線單色儀,半球形分析儀,AES,ISS,多通道HREELS和帶有快速樣品加載系統(tǒng)的完整樣品制備室。
LK-Technologies強(qiáng)大,流行的離子源設(shè)計(jì)用于通過(guò)離子濺射清潔表面,光束能量高達(dá)3 keV,典型離子電流高達(dá)30μA。該噴槍采用了一種新穎的氣體噴射系統(tǒng),該系統(tǒng)允許在典型的1×10 -6托的腔室壓力下進(jìn)行濺射。
氣體注入系統(tǒng)避免了昂貴的差動(dòng)泵送設(shè)備
低室壓下的惰性氣體濺射
寬離子束確保均勻?yàn)R射
與普通濺射清潔和ISS應(yīng)用兼容
連續(xù)可調(diào)諧的電壓從200 V到3 kV
帶USB或以太網(wǎng)接口的數(shù)字控制電子設(shè)備
產(chǎn)品咨詢(xún)